收藏本站
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC75-6L Single
1.250 (0.049)
0.250 (0.01)
0.250 (0.01)
0.500 (0.02)
0.400 (0.016)
0.300 (0.012)
0.180 (0.007)
0.370 (0.015)
1.700 (0.067)
1.100
(0.043)
0.620 (0.024)
2.000 (0.079)
0.200 (0.008)
0.300 (0.012)
0.300 (0.012)
1
0.545 (0.021)
0.670 (0.026)
0.250 (0.01)
2.000 (0.079)
Dimensions in mm/(Inches)
Return to Index
Document Number: 70488
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
13
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIB412DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
SIB433EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SC-75-6
SIB452DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L
SIB914DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
SIE800DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE802DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
相关代理商/技术参数
SIB410DK 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIB410DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB411DK-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB411DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB412DK-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB412DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB413DK-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIB414DK-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R